მანგანუმშემცველი გახსნილი მაგნიტური ნახევარგამტარები · ივერიელიდასკვნის სახით ჩვენ შეგვიძლია განვაცხადოთ, რომ Ge:Mn/GaAs , Si:Mn /GaAs და Si:Fe/Al2O3 -ფენებისათვის მაგნიტურ ძალური მიკროსკოპიის მონაცემები 3d -მინარევთა მაღალ ელექტრულ აქტივობასთან ერთად გვიჩვენებს, რომ ფერომაგნეტიზმი გამოწვეულია 3d მინარეული მყარი სხნარით, ვიდრე ფერომაგნიტური ფაზური ჩანართებით. InxGa1-xAs ქვანტური სტრუქტურისათვის, რომელიც შეიცავს Mn δ ფენას GaAs - ის მატრიცაში, მოუწესრიგებლობები უკავშირდება ფართო დიაპაზონის ფლუქტუაციურ პოტენციალს, რომელიც გამოწვეულია Mn ის ატომების არაერთგვაროვანი განაწილებით. დაბალი მაგნიტური ველისას ნიმუშებმა აჩვენა პარამაგნიტური ქცევა.
ᲡᲐᲜᲓᲝ ᲬᲧᲐᲠᲝᲡᲐᲛᲔᲪᲜᲘᲔᲠᲝ
დაემთხვა: 3d · სანდოობა 1 · ცოდნა სამეცნიერო · აზრი 0.48 · დაფარვა 33% · ქულა 6.5
იპოვა: ვიკიპედია (აზრით): ვიკიპედია (აზრით) #15